[发明专利]一种基于微结构热效应分析的MEMS器件温漂误差精密建模方法在审
| 申请号： | 202110795767.8 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113536675A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 齐兵;房磊;石帅帅;陈嘉宇;李鹏;徐陆通;田帅帅 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | G06F30/27 | 分类号： | G06F30/27;G06N3/04;G06N3/08;G01C25/00;G06F119/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明属于新型微惯性器件领域，具体涉及一种基于微结构热效应分析的MEMS器件温漂误差精密建模方法。本发明硅基材料的温度依赖性从微结构效应角度得到完全分析，并较好地解耦其温度依赖性，即使在环境温度复杂多变的情况下，MEMS陀螺仪的环境适应性得到了完全提升，MEMS陀螺仪实时精密、稳定可靠地输出载体旋转信息。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 微结构 热效应 分析 mems 器件 误差 精密 建模 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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