[发明专利]一种p型氮化镓基器件的电极及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 202110796382.3 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113488532A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 唐楚滢;杜方洲;于洪宇;汪青;王祥;卢宏浩;洪海敏 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学;深圳智芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/417;H01L21/28;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种p型氮化镓基器件的电极及其制备方法和用途。所述电极包括依次层叠设置的镍层、铂层和金层，其中，所述铂层位于所述镍层和金层的中间，所述镍层为p型氮化镓基器件的欧姆接触层。本发明所提供的p型氮化镓基器件的电极，解决了金属电极材料扩散带来的肖特基势垒高度增加而导致的欧姆接触电阻增大的问题，同时将半导体界面的GaO薄层，转变为NiO半导体层，提高了金属/p‑type GaN界面处的Ga空位，进一步降低源漏极欧姆接触电阻，最终改善了p型氮化镓基器件源极和漏极欧姆接触电阻高的问题，提高了p型氮化镓晶体管的性能，使得p型氮化镓基器件能够在CMOS电路中发挥更大的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 器件 电极 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
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