[发明专利]LED外延结构及其应用以及包含该结构的发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110797253.6 申请日: 2021-07-14
公开(公告)号: CN113571612B 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 王明军;郭园;展望;芦玲 申请(专利权)人: 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
主分类号: H01L33/04 分类号: H01L33/04;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/36;H01L33/40;H01L33/00
代理公司: 淮安市科文知识产权事务所 32223 代理人: 廖娜;李锋
地址: 223001 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及半导体照明领域,公开了一种LED外延结构及其应用以及包含该结构的发光二极管及其制备方法,LED外延结构包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层、p型GaN层以及p型接触层,p型接触层从下至上依次设置的p型GaN层、p型InaGa1‑aN层、p型AlbIncGa1‑b‑cN层和MgN层;其中,0a1,01‑a1,0b1,0c1,01‑b‑c1。本发明中的LED外延结构中的p型接触层可以提升与p电极的欧姆接触效果,降低欧姆接触电阻,有利于多量子阱发光层的光子溢出,从而提升发光二极管的光电特性;有利于电流扩散,提升发光二极管的抗静电能力。
搜索关键词: led 外延 结构 及其 应用 以及 包含 发光二极管 制备 方法
【主权项】:
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