[发明专利]一种传导冷却超导磁体的两级G-M制冷机导冷结构有效
申请号: | 202110797444.2 | 申请日: | 2021-07-14 |
公开(公告)号: | CN113450996B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 刘辉;王晖;陈顺中;孙万硕;孙金水;王秋良 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | H01F6/04 | 分类号: | H01F6/04 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 李晓莉 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种传导冷却超导磁体的两级G‑M制冷机导冷结构,G‑M制冷机的两级冷头均位于一个独立小腔中,腔中封存有高纯氦气,室温氦气通过一级冷头换热器预冷后在小腔中形成对流,在二级冷头换热器附近液化。独立小腔包括可伸缩波纹管,一级薄壁筒,一级外锥体,二级薄壁筒和二级热沉。冷头需要维护或者更换时,只需将冷头拔出即可,而不用破坏超导磁体的夹层真空。在超导磁体降温的初级阶段,制冷机一级冷头和二级冷头都处于氦气氛围中,加速二级热负载的降温速度。在磁体降温的末期,部分氦气已经液化成液氦,氦气的对流传热效应减弱。一级冷头通过一级内外锥体将冷量传递给冷屏等部件,实现磁体和冷屏部件温度的分离。 | ||
搜索关键词: | 一种 传导 冷却 超导 磁体 两级 制冷机 结构 | ||
【主权项】:
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