[发明专利]一种硅基发光二极管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110799492.5 | 申请日： | 2021-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN113257972B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 邓群雄;郭文平;王晓宇 | 申请（专利权）人： | 元旭半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 郑宪常 |
| 地址： | 261000 山东省潍坊市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于LED芯片技术领域，提供了一种硅基发光二极管结构，包括通过绝缘填充区域分割为N电极区域和P电极区域的硅基衬底，N电极区域和P电极区域的硅基衬底底面分别设有N焊接电极、P焊接电极；N电极区域的硅基衬底正面由下而上依次设有N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层和透明导电层，透明导电层上方设有覆盖绝缘填充区域的钝化绝缘层，钝化绝缘层上方设有延伸并覆盖至P电极区域硅基衬底的P电极传输层，P电极传输层通过钝化绝缘层上的暴露区分别与透明导电层、P电极区域的硅基衬底接触连接。本发明无需焊线即可实现与封装基板的电气相连，不用考虑抗物质扩散及性能不稳定、可焊性差等问题，且能够依据需求制作为所需的异形外观结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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