[发明专利]一种高可靠性功率MOSFET及其制造方法有效
| 申请号： | 202110801633.2 | 申请日： | 2021-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN113540215B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;叶鹏;周锦程;刘晶晶 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 屠志力 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种高可靠性功率MOSFET及其制造方法。本发明的高可靠性功率MOSFET，包括半导体基板，在所述基板表面设有多条互相平行的第一类沟槽与一圈环绕第一类沟槽的第二类沟槽，在所述第一类沟槽延伸的方向上，第一类沟槽与第二类沟槽连接，所述第二类沟槽的上半段设有靠近有源区的一侧的第二类栅极多晶硅与远离有源区的一侧的填充绝缘介质，所述源极金属通过位于填充绝缘介质内的第二类通孔与第二屏蔽栅多晶硅欧姆接触，在所述第一类沟槽与第二类沟槽的连接处，第一栅极多晶硅与第二类栅极多晶硅电连接，第一屏蔽栅多晶硅与第二屏蔽栅多晶硅电连接，本发明的结构设计能够提高器件的可靠性，并且降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 功率 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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