[发明专利]存储器器件及其制造方法在审
申请号: | 202110802714.4 | 申请日: | 2021-07-15 |
公开(公告)号: | CN113594355A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 陈俊尧;黄胜煌;王宏烵;庄学理 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 存储器器件包括底部电极、磁隧道结(MTJ)堆叠件、顶部电极和侧壁间隔件。MTJ堆叠件位于底部电极上方。顶部电极位于MTJ堆叠件上方。侧壁间隔件横向地围绕MTJ堆叠件和顶部电极。侧壁间隔件具有从底部电极的最外侧壁横向地回缩的最外侧壁。本申请的实施例还涉及制造存储器器件的方法。 | ||
搜索关键词: | 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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