[发明专利]石英与硅的直接键合方法在审
| 申请号： | 202110803054.1 | 申请日： | 2021-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN113488381A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 刘佳晶;李闯;王宣欢;丁正健;王佳龙 | 申请（专利权）人： | 长春长光圆辰微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/304 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明;郭婷 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种石英与硅的直接键合方法，包括如下步骤：S1、提供石英片与硅片，并利用化学气相沉积法在石英片的表面生长二氧化硅薄膜；S2、对二氧化硅薄膜进行化学机械研磨；S3、利用研磨后的二氧化硅薄膜将石英片与硅片直接键合。本发明在常温下即可完成石英片与硅片的键合，无需高温条件，也不含有铵离子，与后续的MOS工艺相兼容，拓展了集成电路的应用范围，保证了产品的成品率和质量。 | ||
| 搜索关键词： | 石英 直接 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
