[发明专利]半导体元件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110804722.2 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN115621315A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 刘仕佑;陈士程;张家玮;郭家铭;温在宇;王俞仁 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含一鳍片，从一基底突出并沿第一方向延伸；一栅极结构，在所述鳍片上沿第二方向延伸；一密封层，位于所述栅极结构的侧壁上；一第一碳峰值浓度，位于所述密封层中；一第一间隙壁层，位于所述密封层上；一第二碳峰值浓度，位于所述第一间隙壁层中；以及一第二间隙壁层，位于所述第一间隙壁层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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