[发明专利]一种基于GaAs工艺的宽带可调衰减器电路和方法在审
| 申请号： | 202110804963.7 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN113659959A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 杨帆 | 申请（专利权）人： | 北京无线电测量研究所 |
| 主分类号： | H03H11/24 | 分类号： | H03H11/24 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100854*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的一个实施例公开了一种基于GaAs工艺的宽带可调衰减器电路和方法，包括：0dB衰减单元、0.5dB衰减单元、1dB衰减单元和2dB衰减单元；所述0dB衰减单元，用于对输入信号功率的直通，输出与输入功率相等的信号；所述0.5dB衰减单元，用于对输入信号的0.5dB功率衰减，输出衰减0.5dB功率的信号；所述1dB衰减单元，用于对输入信号的1dB功率衰减，输出衰减1dB功率的信号；所述2dB衰减单元，用于对输入信号的2dB功率衰减，输出衰减2dB功率的信号；所述0dB衰减单元、0.5dB衰减单元、1dB衰减单元和2dB衰减单元被配置为通过金丝键合方式连接从而实现8种衰减状态之一。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gaas 工艺 宽带 可调 衰减器 电路 方法 | ||
【主权项】：
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