[发明专利]一种用于在半导体晶圆清洗过程中的化学机械研磨后的清洗组合物在审
| 申请号： | 202110805013.6 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN113652317A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 孙秀岩;苏俊;金徽;王倩;郭磊 | 申请（专利权）人： | 张家港安储科技有限公司 |
| 主分类号： | C11D7/34 | 分类号： | C11D7/34;C11D7/26;C11D7/32;C11D7/60;C23G1/20 |
| 代理公司： | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人： | 张入文 |
| 地址： | 215637 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在半导体晶圆清洗过程中的化学机械研磨后的清洗组合物，包括所述清洗组合物按照以下质量百分比的原料制成：有机碱的质量百分比1～20％，氨基酸络合剂的质量百分比0.05～20％，含氮的杂环化合物的质量百分比0.05～20％，水的质量百分比60～99％。本发明的清洗组合物，包含氨基酸为络合剂，增加对化学机械研磨后金属表面金属离子的络合，通过金属腐蚀抑制剂的选择与添加，抑制金属钴表面清洗过程中的腐蚀，保护金属钴表面，保证产品精确性，通过清洗组合物清洗抛光后的含金属的晶片，可去除抛光后晶片表面残留的研磨颗粒、金属离子等残留，降低金属表面粗燥度，降低清洗后表面缺陷，防止晶片在等待下一步工序过程中可能产生的金属腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 清洗 过程 中的 化学 机械 研磨 组合 | ||
【主权项】：
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