[发明专利]铜铟镓硒电池及其制造方法有效
| 申请号： | 202110805785.X | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN113571594B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘武;宋丹丹;朱成皖;李昊天;赵谡玲;乔泊;徐征 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/0749 | 分类号： | H01L31/0749;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 姜威 |
| 地址： | 100044 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种铜铟镓硒电池及其制造方法，包括铜铟镓硒CIGS薄膜，CIGS薄膜从靠近缓冲层侧的前表面到靠近背电极侧的后表面，Ga梯度包含了两个极小值，CIGS薄膜的GGI值和带隙梯度均呈现“W”型分布。有效地提高了开路电压V |
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| 搜索关键词： | 铜铟镓硒 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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