[发明专利]一种基于调控半导体材料吸收层厚度的光谱探测器件

摘要

本发明公开了一种基于调控半导体材料吸收层厚度的光谱探测器件。该器件包括绝缘层、半导体材料吸收层、正电极、负电极及二维材料薄膜，半导体材料吸收层呈阶梯阵列结构。有光线入射时，由于二维材料的高透光率，光线进入半导体材料并被吸收，不同波长入射光在半导体材料吸收层中的吸收深度不同，因此，对于特定厚度的半导体材料吸收层，对于不同波长的入射光其吸收量不同，对应可贡献光电流不同。各阶梯单元对应的两端电极之间均施加相同恒定电压，分别读取各阶梯单元黑暗和光照条件下产生的电流信号，取二者之差作为最终光电流信号，与预先标定构建的器件不同阶梯单元下响应度‑波长谱建立线性方程组求解最优解，即可获取入射光谱信息。