[发明专利]VCSEL和PD集成芯片、制作方法和电子器件有效
| 申请号： | 202110807024.8 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN113540967B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 祝进田 | 申请（专利权）人： | 杰创半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/183 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 仲崇明 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市片区金鸡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种VCSEL和PD集成芯片、制作方法和电子器件，VCSEL和PD集成芯片包括：一衬底；第一N型缓冲层，形成于所述衬底上，所述第一N型缓冲层背离所述衬底的表面形成有第一外延区和第二外延区；VCSEL外延结构，包括依次生长于所述第一外延区的N型DBR、量子阱发光区、P型DBR和第一P型欧姆接触层；PD外延结构，包括依次生长于所述第二外延区的第二N型缓冲层、吸光区和第二P型欧姆接触层。本发明利用一套制作VCSEL芯片的标准工艺，通过巧妙设计，把VCSEL和PD芯片集成在一起，不仅节约了制作成本，简化了芯片的封装工艺，同时还可以大大减小模块的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | vcsel pd 集成 芯片 制作方法 电子器件 | ||
【主权项】：
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