[发明专利]静电保护器件有效
| 申请号： | 202110808153.9 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN113540075B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 许杞安 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘丹;黄健 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种静电保护器件，涉及半导体技术领域。该静电保护器件的第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区位于P阱内，第二P型重掺杂区和第三N型重掺杂区位于第一N阱内，第二N型重掺杂区部分位于P阱内，部分位于第一N阱内，P阱和第一N阱位于P型衬底内；P型衬底上设有栅极结构，栅极结构、第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区形成晶体管，第一N型重掺杂区和栅极结构连接第一电压，第二N型重掺杂区和第二P型重掺杂区连接第二电压。随着静电电流增大，第二P型重掺杂区与P阱所形成的PN结先击穿，晶体管导通，通过第二电压抬高第二N型重掺杂区的电压，加快晶体管导通，将部分静电电流泄放出去，从而降低触发电压，提高防护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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