[发明专利]一种全方位成像的CsPbCl3有效

专利信息
申请号: 202110808484.2 申请日: 2021-07-16
公开(公告)号: CN113594370B 公开(公告)日: 2022-05-31
发明(设计)人: 廖广兰;张许宁;刘智勇;孙博;刘星月;叶海波 申请(专利权)人: 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48;C23C14/04;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/20;C23C14/26;C23C14/30;C23C14/35
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 许恒恒
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于微纳制造与光电子器件领域,公开了一种全方位成像的CsPbCl3球面紫外探测器及其制备方法,该球面紫外探测器包括球形衬底、柔性基底、经向金属电极阵列、纬向金属电极阵列及图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜,通过所述图案化的CsPbCl3钙钛矿薄膜阵列在球形衬底球面上的分布,并利用所述经向金属电极阵列与所述纬向金属电极阵列,即可实现紫外探测的球面成像。本发明通过对器件结构及制备工艺等进行改进,得到的球面紫外探测器可同时满足全方位探测,大视场成像等优点,极大地促进了球面成像器件与光电子器件的发展与应用。
搜索关键词: 一种 全方位 成像 cspbcl base sub
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