[发明专利]一种表面浅刻蚀结构垂直腔面发射激光器在审
| 申请号： | 202110808490.8 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN113540972A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 孟红玲;贾晓卫 | 申请（专利权）人： | 中科启迪光电子科技（广州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京知呱呱知识产权代理有限公司 11577 | 代理人： | 杜立军 |
| 地址： | 510535 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种表面浅刻蚀结构垂直腔面发射激光器，包括由下至上依次设置的GaAs基衬底、下层DBR、有源区、氧化限制层、上层DBR和P型金属欧姆接触层；有源区、氧化限制层、上层DBR和P型金欧姆接触层共刻出圆柱形垂直腔面发射激光器谐振腔；垂直腔面发射激光器的顶部镀有圆环形P型金属电极，垂直腔面发射激光器谐振腔的GaAs基衬底下面镀有N型金属电极；垂直腔面发射激光器的谐振腔由二氧化硅绝缘层包覆，二氧化硅绝缘层通过光刻、湿法腐蚀开电极窗口，二氧化硅绝缘层通过磁控溅射生长P型金属Pad电极。本发明利用表面浅刻蚀结构，在垂直腔面发射激光器高阶模出射位置增加高阶模的损耗，提高高阶模的阈值增益，实现单模输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 刻蚀 结构 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】：
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