[发明专利]一种具有极端三不对称结构的GaAs基大功率激光器外延片及其制备方法

摘要

本发明涉及一种具有极端三不对称结构的GaAs基大功率激光器外延片及其制备方法。由下至上依次包括：衬底、缓冲层、N限制层、Alx2Ga1‑x2As下渐变波导层、Alx3Ga1‑x3As N过渡层、Iny1Ga1‑y1As量子阱层、Aly2Ga1‑y2As P过渡层、Aly3Ga1‑y3As上渐变波导层、P限制层和欧姆接触层。本发明通过非对称组分渐变结构波导结构来降低界面上的电压，避免了电压损耗，也防止了波导层中的Al组分向量子阱中进行扩散，降低串联电阻将光场向N侧偏移，降低光吸收提升输出功率。同时在量子阱两侧N过渡层和P过渡层作为第三组不对称结构，在保留了极端双不对称结构的优点的同时，降低了阈值电流，提升了温度特性，提高了转换效率，完美解决的极端双不对称的缺点。