[发明专利]基于Cu2O介质层生长单层单晶石墨烯的方法

摘要

本发明涉及一种基于Cu2O介质层生长单层单晶石墨烯的方法，该方法将铜箔经预氧化和氢气处理后，在表面制备出一层薄Cu2O介质层，再以Cu2O介质层为基底进行生长石墨烯，使石墨烯生长机制由边缘附着限制变为扩散限制，可显著降低石墨烯的成核密度，同时相对于纯铜箔来说，Cu2O介质层能够减少碳原子的亚表面吸附，有效阻止第二层石墨烯的成核生长，保证单层单晶石墨烯生长。本发明的方法有效减少了铜箔晶界的数量，同时使其变为统一(111)晶面，平坦少晶界的铜箔表面为石墨烯的生长提供了良好的生长环境，同时Cu2O介质层可以降低石墨烯成核密度，加快其生长速度，同时显著抑制石墨烯第二层成核，便于大尺寸单层单晶石墨烯生长。