[发明专利]异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件在审
申请号: | 202110808966.8 | 申请日: | 2021-07-16 |
公开(公告)号: | CN113555472A | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 周肃;魏文文;符欣;龚道仁;王文静;徐晓华;李晨;程尚之;姚真真 | 申请(专利权)人: | 安徽华晟新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/0747;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人: | 彭一波;张奕轩 |
地址: | 242074 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本申请实施例提供了一种异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件,属于光伏电池制备技术领域。该异质结电池处理方法包括以下步骤:对异质结电池进行切割,得到切片异质结电池;对所述切片异质结电池的切割面进行等离子刻蚀处理;对等离子刻蚀处理后的所述切片异质结电池进行氧化处理,使得所述切片异质结电池的切割面形成氧化硅薄膜。通过本申请的异质结电池处理方法,能有效减小因激光切割造成的功率损失,提高切割后的异质结电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 异质结 电池 处理 方法 切片 组件 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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