[发明专利]一种半导体器件的隔离结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110809017.1 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN113394270A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 夏志平;裴晓平;陈洪雷;孙样慧;田浩洋 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰集昕微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件的隔离结构及其制造方法，该隔离结构包括：衬底，位于衬底中的深槽，位于深槽表面的第一氧化层及位于第一氧化层上的多晶硅，第一氧化层和多晶硅高出衬底，且多晶硅高出第一氧化层，位于高出第一氧化层的多晶硅的侧壁的侧墙，侧墙至少覆盖深槽顶部的第一氧化层。侧墙可以保护深槽顶部两侧的氧化层不被腐蚀掉，防止深槽顶部两侧的氧化层的损失对器件特性产生的不利影响，节约了工艺成本。由于最终形成的隔离结构保留有侧墙，并没有将侧墙移除，可以避免深槽附近氧化层留膜过薄而对器件性能产生的不利影响，对于该半导体工艺提供了足够的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 隔离 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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