[发明专利]一种基于无机分子晶体的忆阻器件、制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202110812068.X | 申请日： | 2021-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN113594360A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 李渊;邵解烦;冯昕;翟天佑 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/24;C23C14/30;C23C14/34;C30B25/02;C30B29/02;C30B29/12;C30B29/16;C30B29/38;C30B29/46 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于无机分子晶体的忆阻器件、制备方法及其应用。所述忆阻器件包括：自下而上依次排列的衬底、底电极层、介质层、活性金属层和顶电极层，其中所述介质层包括无机分子晶体薄膜、活性金属掺杂的无机分子晶体薄膜和二维无机分子晶体单晶中的一种。本发明中首次将无机分子晶体材料应用到忆阻器件中，填补了无机分子晶体在忆阻器研究中的空缺。本发明的忆阻器以无机分子晶体作为介质层，并通过活性金属扩散形成导电细丝，符合电化学金属化阻变机制。本发明的忆阻器具有置位电压低、功耗低、开关比大等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 无机 分子 晶体 器件 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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