[发明专利]一种碳化硅外延生长的控制方法有效
| 申请号： | 202110813657.X | 申请日： | 2021-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN113564710B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 刘杰;钱卫宁;冯淦;赵建辉 | 申请（专利权）人： | 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/16;C30B28/14 |
| 代理公司： | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人： | 刘小勤 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市火炬高*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅外延生长的控制方法，包括将衬底置于封闭腔室，通入碳源和硅源，在所述衬底表面生长外延层，定义所述碳源的流量初始值为asccm，结束值为b sccm；所述硅源的流量初始值为a＇sccm，结束值为b＇sccm，当所述碳源的流量为b sccm，并且所述硅源的流量为b＇sccm时开始所述外延层的生长；则在T s内分k段，将所述碳源的流量由a sccm变化至b sccm，同时在T s内分k＇段将所述硅源的流量由a＇sccm变化至b＇sccm，所述碳源和所述硅源的流量变化使用分段式控制法，与常规线性缓变变化相比，该方法有利于提高外延表面质量，同时可以生长出更薄厚度的过渡层，提高外延长层的厚度精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 外延 生长 控制 方法 | ||
【主权项】：
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