[发明专利]温度受控的基板支撑组件在审
| 申请号： | 202110815314.7 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN113539931A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | V·D·帕克;K·马赫拉切夫;M·小野;Z·郭 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文所述的实现方式提供了像素化基板支撑组件，所述像素化基板支撑组件允许对静电夹盘与加热组件之间热传递的侧向调谐和方位角调谐两者。像素化基板支撑组件包括：上表面和下表面；设置在像素化基板支撑件中的一个或更多个主电阻式加热器；以及多个像素加热器，所述多个像素加热器与主电阻式加热器同列，并且设置在基板支撑件中。像素加热器的数量比主电阻式加热器的数量大一个数量级，并且像素加热器相对于彼此以及相对于主电阻式加热器都是独立地受控的。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 受控 支撑 组件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
