[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202110815328.9 | 申请日： | 2021-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN113540095B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 陈荣华 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 赵新龙;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：衬底、有源柱结构、位线和本体线以及字线，衬底包括阵列区和外围区；有源柱结构设于阵列区内；位线和本体线分别设置于有源柱结构的两相对侧，且位线和本体线沿第一方向延伸；字线成对设置于有源柱结构的两相对侧，字线沿第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向；其中，成对设置的字线位于外围区的部分相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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