[发明专利]一种MEMS气体传感器及制作方法有效
| 申请号： | 202110819966.8 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113406156B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 陈学志;杨云春;郭鹏飞;陆原 | 申请（专利权）人： | 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 梁凯 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及气体传感器技术领域，尤其涉及一种MEMS气体传感器及制作方法，该方法包括：衬底，介质层，形成于所述衬底上；绝缘层，形成于所述介质层上；气敏电极，所述气敏电极嵌入至所述绝缘层中，且所述气敏电极的上表面与所述绝缘层的上表面处于同一水平面。本发明使气敏电极下沉至绝缘层中，使绝缘层上表面是平坦的；在后续沉积气敏膜时，使得气敏膜厚均和密度均能均匀分布，还会导致形成的气敏膜的膜表面积增大，提高气体传感器的敏感度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 气体 传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
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