[发明专利]沟槽型碳化硅场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110820925.0 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113555414A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 袁述;苗青 | 申请（专利权）人： | 江苏中科汉韵半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽型碳化硅场效应晶体管及其制备方法。其在所述场效应晶体管的截面上，元胞沟槽包括元胞第一沟槽以及与所述元胞第一沟槽对应的元胞第二沟槽，第二导电类型屏蔽层上的第二导电类型槽间屏蔽连接柱伸入元胞第一沟槽与元胞第二沟槽之间，还包括与源极金属层电连接的槽间源极连接柱，所述槽间源极连接柱位于元胞第一沟槽与元胞第二沟槽间，源极金属层通过槽间源极连接柱能与第二导电类型槽间屏蔽连接柱电连接，以能使得源极金属层与第二导电类型屏蔽层电连接。本发明能提高碳化硅金属‑氧化物半导体场效应晶体管的可靠性，同时降低导通电阻、减小开关损耗，提高碳化硅金属‑氧化物半导体场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 碳化硅 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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