[发明专利]一种宽温域自润滑Si、WC组元掺杂的非晶碳基薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202110821195.6 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113564530B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 李泽清;何卫锋;张虹虹;张广安;聂祥樊 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;中国人民解放军空军工程大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 范巍 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种宽温域自润滑Si、WC组元掺杂的非晶碳基薄膜及其制备方法，属于涂层材料技术领域。本发明采用多靶闭合场非平衡溅射系统实现宽温域自润滑多组元掺杂非晶碳基薄膜的制备，依次包括基体表面处理、在基体表面沉积Cr粘结层和梯度过渡层(Cr→Cr/a‑C→Si/WC/a‑C)、在梯度过渡层(Cr→Cr/a‑C→Si/WC/a‑C)表面沉积Si、WC组元共同掺杂的非晶碳目标层(Si/WC/a‑C)。该非晶碳基薄膜在大气环境25‑500℃宽温域条件下具有优良的自润滑性能，有效提高了非晶碳基薄膜的高温润滑性能，显著拓展了其润滑适用温域，为其应用于大气宽温域或高温苛刻工况的润滑提供了有力的技术支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽温域 润滑 si wc 掺杂 非晶碳基 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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