[发明专利]一种大面积钙钛矿发光薄膜及其发光二极管在审
申请号: | 202110821831.5 | 申请日: | 2021-07-19 |
公开(公告)号: | CN113745438A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 郭飞;陈超然;麦耀华 | 申请(专利权)人: | 暨南大学 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 文静 |
地址: | 510632 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种大面积钙钛矿发光薄膜及其发光二极管,所述的大面积钙钛矿发光薄膜高度致密、光致发光效率高,该大面积钙钛矿发光薄膜的印刷制备方法,通过真空预处理能够将湿膜的溶剂挥发和钙钛矿薄膜热退火结晶两个关键步骤分开,从而实现钙钛矿发光薄膜制备过程中结晶动力学的控制,解决了传统旋涂工艺无法制备均匀的大面积钙钛矿发光层的问题。在大面积钙钛矿发光薄膜的印刷制备工艺基础上,同时制备出发光均匀、外量子效率高的大面积钙钛矿发光二极管,该制备发光二极管的工艺步骤简单,解决了目前制备工艺(如旋涂法、反溶剂萃取法)对钙钛矿发光二极管制备尺寸上的限制,得到了大面积发光强度均匀的钙钛矿发光二极管。 | ||
搜索关键词: | 一种 大面积 钙钛矿 发光 薄膜 及其 发光二极管 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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