[发明专利]一种偏振红外探测器的制备方法在审
| 申请号： | 202110823159.3 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN113654668A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 张轶;刘世光;林国画 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | G01J5/10 | 分类号： | G01J5/10;G01V8/10 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 华枫 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种偏振红外探测器的制备方法，包括：S100，在硅片上依次生长隔离层和偏振金属层；S200，通过光刻工艺在偏振金属层生成光刻结构层；S300，基于光刻结构层对偏振金属层进行刻蚀，直至未被光刻结构层覆盖的部分漏出隔离层；S400，去除光刻结构层，完成金属偏振光栅制备；S500，将完成金属偏振光栅制备的硅片与红外探测器的碲镉汞表面连接；S600，去除硅片和隔离层，完成偏振红外探测器的制备。本发明的制备方法，通过预先在硅片上制备偏振光栅，避免了偏振光栅制备过程中损伤红外探测器，而影响红外探测器性能的问题。而且，硅片表面平整度高，偏振光栅制备工艺简单，可以用于制备高消光比的偏振长波碲镉汞探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 偏振 红外探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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