[发明专利]一种新型低电感SiC Mosfet车用功率模块在审
申请号: | 202110823621.X | 申请日: | 2021-07-21 |
公开(公告)号: | CN113517236A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 陈烨;姚礼军;刘志红 | 申请(专利权)人: | 上海道之科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/14 | 分类号: | H01L23/14;H01L23/10;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/473;H01L23/498 |
代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人: | 陈琦;陈继亮 |
地址: | 201800*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种新型低电感SiC Mosfet车用功率模块,包括功率模块本体,所述功率模块本体主要包括绝缘陶瓷基板及设置在该绝缘陶瓷基板上的SiC Mosfet芯片,该芯片的背面通过银烧结面连接于绝缘陶瓷基板的导电铜层功率电路蚀刻区,芯片的正面功率极与铜箔通过银烧结面连接,该铜箔的上表面通过铜线连接至绝缘陶瓷基板的导电铜层功率电路蚀刻区,芯片的信号极与绝缘陶瓷基板的导电铜层信号电路蚀刻区通过铝线进行信号和控制电路的电气连接;所述绝缘陶瓷基板的正面设置有铜信号端子,绝缘陶瓷基板背面设置有散热铜基板,散热铜基板上设置有注塑外壳,注塑外壳内设置有高温硅凝胶并通过塑料上盖进行密封。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 电感 sic mosfet 用功 模块 | ||
【主权项】:
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