[发明专利]使用远程等离子体处理使碳化硅膜致密化在审
| 申请号： | 202110823900.6 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN113707542A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 巴德里·N·瓦拉达拉简;龚波;袁光璧;桂喆;赖锋源 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了使用远程等离子体处理使碳化硅膜致密化的方法和装置。远程等离子体沉积和远程等离子体处理碳化硅膜的操作交替发生以控制膜密度。沉积第一厚度的碳化硅膜，然后进行远程等离子体处理，并且然后沉积第二厚度的碳化硅膜，然后进行另一次远程等离子体处理。远程等离子体处理可以使处于实质上低能量状态的源气的自由基(例如处于基态的氢自由基)朝向沉积在衬底上的碳化硅膜流动。处于实质上低能态的源气的自由基促进碳化硅膜中的交联和膜致密化。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 远程 等离子体 处理 碳化硅 致密 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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