[发明专利]一种高耐击穿电场的锆锡酸铅厚膜陶瓷材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202110825006.2 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN113429203A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 鲁圣国;林昌立;王世斌;赵小波;姚英邦;陶涛;梁波 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学;东莞华南设计创新院 |
| 主分类号： | C04B35/48 | 分类号： | C04B35/48;C04B35/457;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/64 |
| 代理公司： | 东莞科言知识产权代理事务所(普通合伙) 44671 | 代理人： | 何文婕 |
| 地址： | 510060 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高耐击穿电场的锆锡酸铅厚膜陶瓷材料及其制备方法，包括以下步骤：将原料按照预设化学计量比称取放置于尼龙球磨罐并加入过量3 wt%PbO，进行球磨得到第一产物；将第一产物进行烘干过筛得到第一陶瓷粉；将第一陶瓷粉置于马弗炉中进行预烧，预烧后将玻璃粉按不同质量分数分别掺入预烧完的第一陶瓷粉中；进行第二次球磨和烘干过筛得到第二陶瓷粉；置于滚磨罐，加入分散剂和溶剂进行滚磨后得到预混浆料，加入粘结剂继续滚磨后再加入溶剂、粘结剂和塑化剂继续滚磨得到流延浆料；对流延浆料通过流延机进行流延成型，再经过温等静压和排胶烧结后得到高耐击穿电场的锆锡酸铅厚膜陶瓷材料。本发明形成高耐击穿电场和高储能密度的厚膜陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 击穿 电场 锆锡酸铅厚膜 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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