[发明专利]一种高阻氧化镓晶体及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202110825757.4 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN113622027B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 唐慧丽;李志伟;刘波;徐军;罗平;吴锋;王庆国;张超逸 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B11/04;C30B13/10;C30B15/04;C30B15/34;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/115 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 顾艳哲 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种高阻氧化镓晶体及其制备方法与应用，所述高阻氧化镓晶体的分子式为β‑(Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化 晶体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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