[发明专利]气液两相流相界面密度计算方法、装置、设备和存储介质在审

专利信息
申请号: 202110826252.X 申请日: 2021-07-21
公开(公告)号: CN113688580A 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 丛腾龙;顾汉洋;张蕊;张翔 申请(专利权)人: 上海交通大学;哈尔滨工程大学
主分类号: G06F30/28 分类号: G06F30/28;G06F30/18;G06F113/08;G06F113/14;G06F119/14
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 胡晶
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种气液两相流相界面密度计算方法、装置、设备和存介质,针对现有的采用代数相界面密度模型或相界面密度输运方程计算相界面密度的方法存在精度差、适用性差的问题,通过引用对不同的通道结构和流动形式开发的大量的漂移速度模型,在漂移速度模型完备性高、精度高的前提下,利用漂移速度模型获得的相界面密度模型具有较高的精度和对不同通道类型、流型的适用性,对水平或竖直的圆管及棒束通道内的弹状流、搅混流、环状流等复杂流型均具有较好的适用性。克服了代数模型过渡简化精度差与相界面运输运输模型适用性差的缺陷。
搜索关键词: 两相 界面 密度 计算方法 装置 设备 存储 介质
【主权项】:
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