[发明专利]一种基于硫化铟薄膜构建的痛觉感受器及其应用

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种硫化铟薄膜构建的痛觉感受器及其应用。所述的痛觉感受器为Si/SiO2/In2S3薄膜/金属电极的结构，In2S3薄膜是由二维In2S3纳米片在二维平面的水平和垂直方向堆叠而成；在Si/SiO2衬底上以In2S3薄膜为沟道，用光刻和蒸镀工艺在In2S3薄膜两端制作金属电极制得；沟道的长度为0.1～50μm；在痛觉感受器的金属电极端输入电压脉冲作为刺激信号，或者在痛觉感受器的金属电极保持偏置电压并在其表面照射可见光脉冲作为刺激信号，可以输出器件的响应电流。本发明的痛觉感受器可以响应多个外在刺激，实现多样化功能提供了一种思路，在广泛应用在模仿生物突触领域中。