[发明专利]半导体存储器件、测试半导体存储器件的方法和测试系统在审
| 申请号： | 202110827833.5 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN114242154A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 金相录;崔荣暾 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种包括在由划线道划分并形成在晶片的上表面上的多个芯片之中的每一个芯片中的半导体存储器件包括存储器核心和内置自测试(BIST)电路。存储器核心包括存储数据的存储单元阵列和连接到数据输入/输出焊盘的数据输入/输出电路。BIST电路连接到与数据输入/输出焊盘分开的测试焊盘。BIST电路基于对半导体存储器件执行的晶片级测试过程期间从外部自动测试设备(ATE)接收到的命令和地址生成包括第一并行比特的测试模式数据。BIST电路通过将测试模式数据通过数据输入/输出电路应用到存储单元阵列来测试存储器核心。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 测试 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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