[发明专利]一种太阳能电池硼硅玻璃钝化方法在审
申请号: | 202110828340.3 | 申请日: | 2021-07-22 |
公开(公告)号: | CN113644161A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 张双玉;张满满;乐雄英;陆祥 | 申请(专利权)人: | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 李静 |
地址: | 224005 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开一种太阳能电池硼硅玻璃钝化方法,S1、对太阳能电池片进行表面处理,形成有效的绒面结构;S2、通过热扩散工艺,在形成绒面结构的所述太阳能电池片上生成一层厚度为80‑120nm的硼硅玻璃层;S3、使用低浓度的氢氟酸腐蚀掉部分所述的硼硅玻璃层,保留厚度为10‑25nm的硼硅玻璃层,即完成钝化。本发明的钝化方法保留了厚度为10‑25nm的硼硅玻璃介质层,这层介质层会有类似于氧化硅的钝化作用,能够很好地提高电池片的效率;常规N型电池在完全去除硼硅玻璃层后,通常采用热氧或湿氧方式,在正面生成一层氧化硅钝化层,本发明的钝化方法取消了这一步骤,直接用扩散形成的硼硅玻璃层进行钝化,在减少工艺步骤的同时,确保电池品的效率,也降低的电池制作成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 玻璃 钝化 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的