[发明专利]具有高雪崩能力的氮化镓功率器件及其制备工艺在审
申请号: | 202110829213.5 | 申请日: | 2021-07-21 |
公开(公告)号: | CN113594244A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 张龙;袁帅;马杰;崔永久;王肖娜;孙伟锋;时龙兴 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 冯慧 |
地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种具有高雪崩能力的氮化镓功率器件及其制备工艺,器件包括:P型硅衬底上设有氮化镓缓冲层,氮化镓缓冲层上设有铝镓氮势垒层,再上设有金属源极、金属漏极和P型氮化镓层及金属栅极;在P型硅衬底内设有N型区域,所述金属漏极延伸穿过铝镓氮势垒层和氮化镓缓冲层并连接于N型区域,在金属漏极与氮化镓缓冲层之间设有氮化物钝化层并用于隔离金属漏极与氮化镓缓冲层。制备工艺包括:一,在P型硅衬底中形成N型区域;二,在P型硅衬底上生长氮化镓缓冲层;三,在氮化镓缓冲层上生长铝镓氮势垒层;四,在铝镓氮势垒层上形成P型氮化镓层;五,形成氮化物钝化层;六,分别淀积金属以形成金属源极、金属漏极和金属栅极。 | ||
搜索关键词: | 具有 雪崩 能力 氮化 功率 器件 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
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