[发明专利]基于二维材料/绝缘层/半导体结构的宽光谱光电探测器

摘要

本发明公开了一种基于二维材料/绝缘层/半导体结构的宽光谱光电探测器，包括栅极、半导体衬底、绝缘层、二维材料薄膜、源极与漏极，二维材料薄膜上表面水平间隔布置有漏极与源极；半导体衬底的底部设有异质结。入射光照射到器件表面时，被半导体衬底和异质结吸收，产生的少数载流子注入积累到由脉冲栅压形成的衬底深耗尽势阱中。由于二维材料的特殊性质，其通过电容耦合有效收集载流子，输出光电流的信号，实现随机、无损和高速读出；本发明可有效扩宽光电探测器的光谱响应范围，实现从紫外光、可见光到红外光的宽光谱探测，同时改变了传统电荷耦合器件的读出方式，提高系统的响应速度和可靠性。