[发明专利]一种半导体激光器腔面镀膜方法在审
| 申请号： | 202110831024.1 | 申请日： | 2021-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN113652653A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 李达 | 申请（专利权）人： | 深圳源国光子通信有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/50 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 姚晓丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器腔面镀膜方法，包括镀膜炉和转动架，转动架位于镀膜炉的内部，转动架的底部均设置有挂杆，挂杆的顶部固定连接有固定块。本发明通过设置镀膜炉、转动架、挂杆、固定块、限位组件、调节组件和定位组件的配合使用，使用者先沿着挂杆的轨迹来调节滑套与放置杆的位置，使其到达一个适当的位置，之后通过定位组件与定位槽之间的配合来对滑套进行定位，之后将需要镀膜的半导体激光器工件挂在放置杆上，之后向下推动调节组件，调节组件与限位组件配合快速将固定块卡入对应卡槽内部，完成定位，解决了现有镀膜炉对半导体激光器腔面进行镀膜时极大的浪费了人力和时间，同时降低镀膜炉工作效率的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
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