[发明专利]一种降低纳米银线导电膜蚀刻痕的方法在审
| 申请号： | 202110831285.3 | 申请日： | 2021-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN113488287A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 殷志豪;徐林;彭颖杰 | 申请（专利权）人： | 苏州诺菲纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 苏张林 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低纳米银线导电膜蚀刻痕的方法，主要包括以下步骤：(1)制备导电材料墨水，导电材料由细纳米银线及难被刻蚀的金属单质或复合物组成；(2)将导电材料墨水涂覆在基底表面形成导电层；(3)在导电层表面涂覆保护层制备得到纳米银线导电膜；(4)根据预设图案对纳米银线导电膜进行刻蚀。由于导电材料中纳米银线容易被蚀刻，而其它金属单质或复合物(例如金属纳米棒、金属纳米颗粒、金属纳米片以及钝化或金属包覆的纳米材料)由于尺寸相对较大或表面活性低而未完全被蚀刻，以实现对蚀刻区的光学补充，进而降低蚀刻痕。较之传统的同一规格银线的截断式蚀刻，本发明提供的方法工艺调控空间大，效果可叠加，且适合大尺寸导电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 纳米 导电 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
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