[发明专利]一种凹土/聚吡咯导电复合物对电极材料及制备方法在审

专利信息
申请号: 202110833507.5 申请日: 2021-07-22
公开(公告)号: CN113594374A 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 郭明星;尹淑慧;袁颖齐 申请(专利权)人: 大连海事大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/44
代理公司: 大连至诚专利代理事务所(特殊普通合伙) 21242 代理人: 杨威;刘丽媛
地址: 116000 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种凹土/聚吡咯导电复合物对电极材料及制备方法,将凹土和氨丙基三乙氧基硅烷在甲苯中溶解,搅拌、过滤、乙醇洗涤、干燥,得到处理的凹土;将对甲苯磺酸钠用去离子水溶解,加入处理的凹土,分散,得到混合液体A;所述的混合液体A中加入吡咯,搅拌,得到混合液体B;将过氧二硫酸铵用去离子水溶解后,滴加到混合液体B中,进行氧化聚合;搅拌,过滤,用去离子水和乙醇洗涤其沉淀物,干燥。本发明通过将凹土/聚吡咯复合材料应用于钙钛矿太阳能电池领域,提供了一种可适用于无空穴传输层电池结构的新型对电极材料,降低了原料和加工的成本,简化了制备工艺。
搜索关键词: 一种 吡咯 导电 复合物 电极 材料 制备 方法
【主权项】:
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