[发明专利]一种利用PVT法在SiC籽晶上异质生长AlN的方法有效
| 申请号： | 202110834372.4 | 申请日： | 2021-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN113564697B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 吴洁君;赵起悦;于彤军;王泽人;韩彤;沈波 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 黄凤茹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种利用物理气相输运法在SiC籽晶上异质生长AlN的方法，设计包含蒸气饱和微腔的坩埚结构，微腔内部可抽真空和充气；在AlN生长初期，通过采用蒸气饱和微腔抑制初期SiC的正向分解升华并实现AlN的生长，通过留有微弱气孔的粘接剂覆盖抑制初期SiC的侧向升华，AlN多晶隔离片逐渐背升华并沉积在SiC表面；多晶隔离片升华消失后，AlN源粉处升华得到的Al原子输运至生长表面；在AlN多晶隔离片和AlN粘接剂升华之后，在SiC籽晶上的AlN层覆盖，SiC侧面的AlN粘接剂升华离开坩埚区域，使得SiC侧向升华分解，SiC籽晶层逐步消失，由此得到无SiC的AlN籽晶。采用本发明方法可制得单晶率高、杂质含量低的无裂纹的AlN籽晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 pvt sic 籽晶 上异质 生长 aln 方法 | ||
【主权项】：
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