[发明专利]一种高能离子注入后光刻胶的去除方法在审
| 申请号： | 202110835041.2 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN113703294A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王艳良;张志强 | 申请（专利权）人： | 上海稷以科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海创开专利代理事务所(普通合伙) 31374 | 代理人： | 张佑富 |
| 地址： | 201100 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种高能离子注入后光刻胶的去除方法，包括以下步骤：S1：在70‑120度的低温环境下注入O/F基的等离子体去除C富集的硬质层，或者注入O |
||
| 搜索关键词： | 一种 高能 离子 注入 光刻 去除 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海稷以科技有限公司，未经上海稷以科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110835041.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
