[发明专利]一种近红外响应增强型硅雪崩探测器模块及其制造方法

摘要

本发明属于光电探测领域，具体涉及一种近红外响应增强型硅雪崩探测器模块及其制造方法，该模块包括硅雪崩探测器芯片和前置放大电路，硅雪崩探测器芯片与前置放大电路连接；所述硅雪崩探测器芯片自上向下依次包括正面钝化层、N电极、N+有源区、P‑雪崩区、P型衬底层、P+光敏区、背面钝化层、增透层以及P电极，在P+光敏区内设置有P+截止环和N+保护环；所述硅雪崩探测器芯片用于将脉冲光信号转换为脉冲电流信号，所述前置放大电路用于将脉冲电流信号进行放大输出；本发明创造性地提出了在探测器芯片背面集成微结构以提高近红外响应度，优化高能注入工艺以降低芯片的偏压温度系数，同时突破性地提出了双保护环结构以提高芯片的可靠性。