[发明专利]中心对称双排SiC基GaN肖特基二极管在审
| 申请号： | 202110836322.X | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN113451419A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王俊龙;陈海森 | 申请（专利权）人： | 深圳市电科智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L23/49 |
| 代理公司： | 河北冀华知识产权代理有限公司 13151 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 518126 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种中心对称双排SiC基GaN肖特基二极管，涉及太赫兹器件技术领域。所述二极管包括位于中间的第一焊盘以及位于第一焊盘两侧的第二焊盘，其中所述第一焊盘与左侧的第二焊盘之间形成有两个肖特基二极管结，所述第一焊盘与右侧的第二焊盘之间形成有两个肖特基二极管结，所述第一焊盘的上表面的中心形成有一条外端悬空的梁式引线，所述梁式引线的悬空部分的长度相等。所述二极管能够提高使用良率，由于所述二极管采用了双排肖特基结的结构，可以提升对输入功率的耐功率特性并可以增加输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 中心对称 sic gan 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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