[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202110836682.X 申请日: 2021-07-23
公开(公告)号: CN114188346A 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 北村政幸;广桥拓也;木下繁;丰田启 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L27/1157 分类号: H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11582
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 林娜;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备层叠体,所述层叠体包括:交替地层叠的绝缘层和包含钼的导电层;氧化铝层,其设置在所述绝缘层与所述导电层之间;以及保护层,其与所述氧化铝层相接,包含与所述氧化铝层中的铝进行了结合的碳、氮和硫中的任一种,与所述导电层相接。所述层叠体具有设置在所述绝缘层和所述导电层内的绝缘体,所述绝缘体与所述绝缘层的一部分、所述氧化铝层的一部分、所述保护层的一部分以及所述导电层的一部分相接。
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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