[发明专利]一种P型栅GaN HEMT器件内部单粒子烧毁敏感区域确定方法有效
| 申请号： | 202110837558.5 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN113569512B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 李林欢;曹荣幸;黄鑫;孟洋;薛玉雄;刘洋;周敏;韩丹;李红霞;郑澍 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | G06F30/3308 | 分类号： | G06F30/3308 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型栅GaNHEMT器件内部单粒子烧毁敏感区域确定方法，基于建立的单粒子烧毁模型，可以精确计算单粒子烧毁时器件内部电参数空间分布特性、器件的安全工作电压范围，确定器件内部单粒子烧毁敏感区域，可实现P型栅GaNHEMT器件单粒子烧毁的敏感性评价，为其空间应用防护设计提供技术保障。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型栅 gan hemt 器件 内部 粒子 烧毁 敏感区域 确定 方法 | ||
【主权项】：
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