[发明专利]一种新型碳化硅衬底的前处理设备及制造方法在审
申请号: | 202110838076.1 | 申请日: | 2021-07-23 |
公开(公告)号: | CN113555300A | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 郑国;秦超;张志伟 | 申请(专利权)人: | 上海衍梓智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/02;C23C16/14 |
代理公司: | 上海国瓴律师事务所 31363 | 代理人: | 傅耀 |
地址: | 200240 上海市闵*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种新型碳化硅衬底的前处理设备及制造方法,包括进气管路、反应腔、隔热层、支撑部件、射频加热部件、真空抽气部件、尾气处理管路、加热基板和衬底托盘;进气管路和尾气处理管路分别位于隔热层两个侧边,射频加热部件位于反应腔底部,支撑部件位于加热基板并固定加热基板于隔热层内侧底部,加热基板上设置有凹槽,衬底托盘位于凹槽处,真空抽气部件位于隔热层外侧;衬底托盘包括基材、结构层和防护层;结构层位于基材上并具有标准形貌或图案支撑结构;防护层位于结构层上。其中本发明的有益效果是:降低衬底缺陷,改进衬底外延生长前处理,在不影响衬底处理效果的同时进行大批量、多批次处理,同时减少外延准备时间,缩短工艺流程。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 碳化硅 衬底 处理 设备 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造